t026 TTEPRHSO

Versatilità: Il t026 TTEPRHSO combina in un unico corpo i trasduttori per la misura della temperatura dell’aria, dell’umidità relativa e della radiazione solare, questa caratteristica lo rende un prodotto compatto ed economico.

Principio di misura – Temperatura: L’elemento sensibile è costituito da termo-resistenza al platino Pt100 con curva di risposta secondo norme DIN 43760 classe 1/3.

Principio di misura – Umidità Relativa: L’elemento sensibile è di tipo polimero-capacitivo tagliato al laser (in un processo termoregolato), con un sistema integrato di condizionamento del segnale.

Principio di misura – Radiazione Solare: L’elemento sensibile è una cella di silicio che genera una tensione proporzionale alla radiazione solare incidente.

Sensori Intelligenti: Il trasduttore appartiene alla famiglia dei sensori intelligenti in quanto dotato di microcontrollore ed elettronica di condizionamento ed acquisizione dei segnali dai trasduttori.

Certificato di Calibrazione: Il sensore può essere corredato di certificato di calibrazione Siap+Micros oppure da certificati rilasciati da altri laboratori esterni (SIT, Colonnetti, ecc.).

Materiali e norme Internazionali: Il corpo del sensore è in lega di alluminio anticorrosione e viterie in acciaio inox, lo schermo di protezione è realizzato in materiale plastico non igroscopico, a bassa capacità termica e opportunamente trattato con inibitore ai raggi ultravioletti in modo di garantire una lunga stabilità nel tempo. Il trasduttore è conforme a quanto previsto nella normative Europea su EMC, è protetto contro le sovratensioni e risponde pienamente alle prescrizioni dell’OMM (Organizzazione Meteorologica Mondiale).

Temperatura Aria
Campo di misura	-30 ÷ +60 ° C
Sensibilità	0,03 ° C
Accuratezza	± 0,1 ° C
Tipo di sensore	Thermoresistance Pt100 DIN 43760
Umidità Relativa
Campo di misura	0 ÷ 100% RH
Sensibilità	± 0,5% RH
Accuratezza	± 2% RH
Tipo di sensore	Capacitive polymer dikompensasi dalam suhu
Radiazione Solare
Campo di misura	0 ÷ 1.300 W / m²
Spettro	0,36 ÷ 1,12 μm
Sensibilità cella al silicio	0,2 mV / (W / m²)
Tipo di trasduttore	Silicon Cell
Caratteristiche comuni
Punto di Rugiada e Punto di Brina	Presente
Temperatura di funzionamento	-30 ÷ +60 ° C